Дайджест технологий: Смартфоны 5G появятся к марту; датчики NB-IoT работают на удалении в 100 км; сульфид висмута - перспектива фотовольтаики

Телеком: В Qualcomm ожидают выход на рынок устройств 5G в начале 2019 года

В компании Qualcomm отмечают рост активности разработчиков и производителей абонентских терминалов. Если еще несколько месяцев назад технология 5G представлялась скорее темой пост-2020 года, то после череды “первых в мире” запусков сетей 5G сейчас все мгновенно сдвинулось на начало 2019 года.

В Qualcomm уверены, что для успешного старта 5G, как массовой коммерчески доступной технологии, экосистема абонентских устройств должна насчитывать от 5 до 15 различных смартфонов и других типов пользовательского оборудования, совместимого с решениями 5-6 основных поставщиков инфраструктурных решений. В Qualcomm уделяют немало внимания вопросам взаимосовместимости, в частности, еще на MWC2018 проверялась работа платформ 5G Qualcomm с решениями Ericsson и Nokia.

Кроме того, Qualcomm уже показывал тестовый терминал 5G в форм-факторе смартфона - устройство собрано на базе модема X50 и “нового процессора” Snapdragon (предположительно 860).

Тестовый терминал Qualcomm 5G, источник фото: mobileworldlive.com

Несколько абонентских устройств на базе соответствующей платформы Qualcomm, с гарантированной совместимостью с решением как минимум двух ведущих поставщиков инфраструктурных решений появятся на рынке уже в 1Q2019-2Q2019. Нет сомнений, что кто-то из вендоров захочет объявить об их доступности еще на MWC2019.

Похоже, что некоторые смартфоны 5G вдобавок удивят нас новыми форм-факторами. Huawei на днях заявил, что его смартфон 5G выйдет с гибким экраном. Теперь вот в LG говорят о том, что их девайс 5G будет "сразу узнаваемым... красивым, сиющим устройством", непохожим на однотипные устройства сегодняшнего дня и совместимым с требованиями 3GPP. Время выхода 5G новинки LG - первая половина 2019 года, так что можно с высокой долей уверенности предположить, что это будет устройство на базе платформы Qualcomm.

Ericsson и Telstra заявили об успешном подключении устройства Cat-NB (NB-IoT), удаленного от базовой станции на 100 км

Не так давно Huawei объявил о двукратном увеличении покрытия сайтов Cat-NB. В Ericsson отреагировали быстро - сообщением об успешном подключении к сети NB-IoT австралийской Telstra устройства Cat-NB, находящегося на расстоянии почти в 100 км. Ранее в качестве предельной дистанции декларировалась дальность до 40 км. Увеличение расстояния было достигнуто программным апдейтом, не требующим менять ПО абонентских устройств.

Впрочем, наращивая “дальнобойность”, вендоры решений NB-IoT конкурируют не столько друг с другом, сколько с поставщиками проприетарных решений LPWAN. Если бы вендоры были готовы со своим решением на пару лет раньше, тема LPWAN не успела бы получить того распространения, которое она получила, теперь операторам сетей 3GPP придется отвоевывать пользователей большими усилиями.

Поддержка NB-IoT запущена на сети Telstra в январе 2018 года, ее покрытие на сентябрь 2018 года составляет более 3.5 млн кв км.

Для демонстрации возможностей “проапгрейженной” сети NB-IoT использовался сенсор температуры Captis NB-IoT, расположенный в 94 км от базовой станции Telstra в Mount Cenn Cruaich. Кроме того, была показана успешная работа сенсора Captis, расположенного на минус третьем этаже подземной парковки в центре Сиднея. Сигнал этого сенсора успешно принимала городская сеть LTE. Также к сети подключили метеорологическую станцию Metos, Pessi Instruments, которая передавала телеметрию, включающую данные о температуре, относительной влажности, осадках и влажности листвы. Источник: ericsson.com.

Микроэлектроника: Прогресс в области полупроводников на основе висмута

Сейчас в мире идет активный поиск материалов, которые можно было бы использовать в фотовольтаике. Этот поиск осложняется тем, что мало найти материал сам по себе, требуется еще разработать оптимальный процесс формирования пленок этого материала, а этот процесс порой занимает годы.

Исследователи в Университете Осаки разработали двухшаговый процесс производства оптоэлектронных материалов с хорошими морфологическими свойствами, а также с великолепными фоторезистивными характеристиками. Эти исследования опубликованы в Journal of Physical Chemistry Letters.

Bi2S3 относится к классу материалов, известных как халькогениды металлов, которые многообещающе выглядят с точки зрения перспектив использования их оптических и электронных свойств. В то же время качество функционирования фоточувствительных устройств на базе Bi2S3 во многом определяется методом, используемым в производстве пленки, в частности, многие из выявленных интересных качеств демпфируются низкой кристалличностью пленки. И даже если удается повысить степень ее кристалличности, зернистость может оказывать негативный эффект на качество работы кристалла, поэтому предпочтительны пленки с малой шероховатостью поверхности, но большим размером зерен.

По итогам краткого исследования более 200 различных материалов, было выявлено, что Bi2S3, это менее дорогой и менее токсичный материал, нежели те неорганические материалы (типа галогенидных перовскитов), которые сейчас применяются в фотовольтаике, при этом его можно обрабатывать так, чтобы не испортить его великолепные фотоэлектрические свойства.

Японские ученые разработали метод формирования двухслойной пленки в результате применения двухстадийного процесса - использование раствора (solution spin-coating), а затем кристаллизация. Кстати, этот процесс можно будет использовать для работы и с другими металл-сульфидными полупроводниковыми материалами. Источник: compoundsemiconductor.net. ++